IT之家 4 月 30 日音问，三星电子在本日公布的一季度财报等共享了其半导体关系业务的技能信息和未来臆想，IT之家整理如下：

系统 LSI

三星示意举座晶圆代工业务的复苏相对蔓延，但晶圆厂的运营后果有一定提高。

技能方面，三星称其 3nm 和 2nm 节点技能发展胜利，将在本季度完成 2nm 研讨基础步伐的修复；而在 4nm 节点方面，良率渐趋踏实。

三星正就适用于 3D IC 的 4nm 技能进行准本，同期计较修复适用于 14nm、8nm 等熏陶节点的基础步伐，餍足不同利用的需求。

三星阐明其仍计较不才半年收尾第二代 3nm 技能的量产，并提高 2nm 技能的熏陶过程。

存储

三星示意其已于本月开动量产 HBM3E 8H（8 层堆叠）内存，并计较于本季度内开动量产可提供 36GB 单堆栈容量的 HBM3E 12H 居品。三星将陆续加多 HBM 供应，餍足生成式 AI 商场的需求。

关于老例 DDR5，三星基于 1bnm（12 纳米级）制程的 32Gb DDR5 也将于本季度量产。三星计较在该居品上收尾更快的产能爬坡，以提高企业在高密度 DDR5 模组商场的竞争力。

三星 1bnm 32Gb DDR5 内存于旧年 9 月发布，其时计较于 2023 年底量产。

而在 NAND 闪存界限，三星进一步明确第 9 代 V-NAND 的 QLC 版块将于三季度量产。

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